HBM4E 양산 돌입과 공급 부족 예고
삼성전자가 오는 2026년 상반기 중 7세대 고대역폭메모리인 HBM4E의 양산을 시작할 방침이라고 발표했다. 29일 진행된 2026년 3분기 실적 발표 자리에서 삼성전자는 HBM4E의 양산 개시와 더불어, 내년 하반기에는 생산 가동률을 본격적으로 끌어올리는 볼륨 램프업(Ramp-up) 단계에 진입할 것이라는 구체적인 로드맵을 공개했다.
AI 투자 지속에 따른 반도체 업황 강세 전망
반도체 시장의 흐름에 대해서는 매우 낙관적인 시각을 제시했다. 삼성전자는 인공지능(AI) 분야에 대한 기록적인 투자가 장기화되는 추세와 더불어 반도체 공급이 제한적인 상황이 맞물리면서, 내년에도 반도체 업황의 강한 상승세가 이어질 것으로 내다봤다. 특히 AI 인프라 구축을 위한 투자가 계속해서 확대됨에 따라, 메모리 부문의 수요가 공급 능력을 크게 웃도는 시장 환경이 조성될 것이라고 전망했다.
제품 믹스 최적화 및 기술 리더십 강화
회사는 변화하는 시장 요구에 대응하기 위해 전략적인 제품 운용을 지속할 계획이다. D램과 낸드플래시의 응용처별 수요 변동성을 면밀히 살피고, 고객사들의 다양한 요청 사항을 반영하여 선제적으로 제품 믹스를 최적화해 나간다는 방침이다. 아울러 독보적인 기술적 우위를 바탕으로 HBM4 제품의 판매 규모를 적극적으로 확대하여 D램 시장에서의 리더십을 공고히 하겠다고 강조했다.